Browsing by Autor "S. M. Wasim"

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    Electrical properties of CuGaTe2
    (Wiley, 1983) S. M. Wasim; G. Marcano; G. Sánchez Pérez
    A systematic study is made on the effects of annealing CuGaTe2 single crystals in vacuum, under reduced pressure, and in the presence of Cd and Zn. From the variation of hole concentration with temperature, the acceptor state ionization energy is found to lie between 18 and 37 meV. This energy state is associated with Ga vacancy. There is some indication that Zn acts as donor in this compound. The mobility data are explained by taking into account the scattering of the charge carriers by ionized and neutral impurities, acoustic-mode phonon, and space charge effects. The valence-band deformation potential is found to be 4.32 eV. Une étude systematique a été faite sur les effets de récuit des cristaux simples de CuGaTe2 dans le vide, sous pression réduite et en presence des élements Cd et Zn. La variation de la concentration des trous avec la temperature a été établie et l'energie d'ionisation des états de l'accepteur a éte trouvée comprise entre 18 et 37 meV. Cet état d'energie est associé avec la vacance de l'élement Ga. C'est une indication que le Zn a joué le rǒle de donneur dans ce composé. Les données relatives à la mobilité ont éte obtenués et expliquées en prenant compte les différents mechanismes de dispersion des porteurs de charges y compris les impuretés ionisées et neutres, les phonons de mode acoustique et les effets d'espace de charge. Le potentiel de deformation de la bande de valence trouvé est égal à 4,32 eV.