Obtención del material semiconductor de segunda generación disulfuro de indio y cobre (CuIn2) por método solvotermal

Abstract

Obtención del material semiconductor de segunda generación disulfuro de indio y cobre (CuInS2) por el método Solvotermal Se sintetizó el semiconductor CuInS2 a diferentes temperaturas y tiempos de reacción en una autoclave mediante el método solvotermal, donde se utilizó tiourea como fuente de azufre (CH4N2S). Los precursores que se utilizaron fueron: CuCl 0,0125M, InCl34H2O 0,0125M, y CH4N2S 0,0499M, que se hicieron reaccionar en un medio alcohólico a un pH inicial promedio de 3,60 y un pH final promedio de 4,38. Se han analizado los efectos en la cristalinidad, la morfología, el tamaño de partícula, y la resistividad, considerando como variables el tiempo y la temperatura. Las estructuras cristalinas fueron caracterizadas por difracción de rayos X (DRX), donde el producto óptimo es el sintetizado a (6horas-180°C). La caracterización morfológica fue mediante Microscopia Electrónica de Barrido (SEM), se observaron partículas de morfología esférica. Se calculó también el tamaño de partícula que fue muy dependiente de la temperatura. Las pruebas eléctricas se realizaron mediante UV-Vis y pruebas de resistividad, del cual concluimos que la síntesis a (6horas-180°C) tiene carácter de un material semiconductor. También se realizaron pruebas preliminares de la deposición sobre sustratos de vidrio obteniendo muy buenos resultados en la morfología esférica y tamaño homogéneo de las partículas, (4 - 5,5) micrómetros.