Estudios electroquímicos para la deposición de CuGaSe2 usando iones citrato como agente complejante

Abstract

Se estudió el sistema electroquímico Cu-Ga-Se en medio electrolítico 0,5M de Na2SO4 a pH 2,5 y se estudió la influencia de los iones citrato en la deposición de películas del semiconductor CuGaSe2. Los estudios mediante voltametría cíclica nos muestran un sistema Cu-Ga-Se complejo, con gran cantidad de procesos involucrados en la formación de la película. Con base en los resultados voltamétricos, se intentó sintetizar películas de CuGaSe2, usando la técnica de electrolisis potenciostática, a diferentes potenciales de deposición y usando como medio electrolítico una solución que contenía: 0,01M de SeO2, 0,01M de CuSO4, 0,02M de Ga3+ y 0,05M de ácido cítrico disueltos en 0,5M de Na2SO4. Los análisis de EDX mostraron que en el intervalo de potenciales -0,6V y -1,1V vs SCE no se detecta la presencia de galio en las películas sintetizadas. El galio se deposita, en forma irregular, no homogénea, a potenciales sobre los -1,2V vs SCE. Los resultados no evidencian algún efecto favorable en la formación del semiconductor CuGaSe2, atribuible a la presencia del complejante citrato en el medio electrolítico, si es probable que un tratamiento térmico a estas películas mejore la estequiometría de las mismas.