Preparación y Caracterización Óptica a Temperatura Ambiente del Sistema con Vacancia Ordenada Cu(In1-Xgax)3Se5

Abstract

En el presente trabajo se reporta la caracterizacion optica de los semiconductores CuIn3Se5, CuGa3Se5 y sus aleaciones Cu(In1-XGaX)3Se5. Las muestras estudiadas fueron obtenidas a partir de lingotes crecidos mediante la tecnica de Bridgman vertical y por enfriamiento direccional programado. La composicion estequiometrica porcentual de las muestras, determinada por EDX, resulto ser muy cercana a la composicion teorica. La brecha de energia EG varia con la composicion x de acuerdo a la ecuacion cuadratica: EG(x) = a + b x + c x2, donde el coeficiente c es igual a (0,173 ± 0,002) eV. Este valor esta de acuerdo con el calculado mediante la relacion c = 5/4 Y = 0,175 eV, donde Y es la diferencia de las electronegatividades de Phillips entre los cationes In y Ga.