Preparación y Caracterización Óptica a Temperatura Ambiente del Sistema con Vacancia Ordenada Cu(In1-Xgax)3Se5

Simple item page
dc.contributor.authorGiovanni Marín
dc.contributor.authorSyed M. Wasim
dc.contributor.authorC. Rincón
dc.contributor.authorGerardo Sánchez Pérez
dc.contributor.authorP. Bocaranda
dc.contributor.authorA. E. Mora
dc.contributor.authorM Ildefonso Molina
dc.coverage.spatialBolivia
dc.date.accessioned2026-03-22T17:26:51Z
dc.date.available2026-03-22T17:26:51Z
dc.date.issued1999
dc.description.abstractEn el presente trabajo se reporta la caracterizacion optica de los semiconductores CuIn3Se5, CuGa3Se5 y sus aleaciones Cu(In1-XGaX)3Se5. Las muestras estudiadas fueron obtenidas a partir de lingotes crecidos mediante la tecnica de Bridgman vertical y por enfriamiento direccional programado. La composicion estequiometrica porcentual de las muestras, determinada por EDX, resulto ser muy cercana a la composicion teorica. La brecha de energia EG varia con la composicion x de acuerdo a la ecuacion cuadratica: EG(x) = a + b x + c x2, donde el coeficiente c es igual a (0,173 ± 0,002) eV. Este valor esta de acuerdo con el calculado mediante la relacion c = 5/4 Y = 0,175 eV, donde Y es la diferencia de las electronegatividades de Phillips entre los cationes In y Ga.
dc.identifier.urihttps://mail.produccioncientificaluz.org/index.php/ciencia/article/view/8885
dc.identifier.urihttps://andeanlibrary.org/handle/123456789/64227
dc.language.isoes
dc.sourceUniversidad de Los Andes
dc.subjectMaterials science
dc.subjectAnalytical Chemistry (journal)
dc.subjectPhysics
dc.subjectChemistry
dc.titlePreparación y Caracterización Óptica a Temperatura Ambiente del Sistema con Vacancia Ordenada Cu(In1-Xgax)3Se5
dc.typearticle

Files

Collections

Artículo Científico Publicado